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第三代半导体碳化硅器件的性能优势
碳化硅MOS等碳化硅功率器件，与Si基IGBT相比，可以有更低的导通电阻，这体现在产品上，即尺寸减小，从而减小体积，开关速度快.与传统功率器件相比，大大降低。在电动汽车领域，电池重量重、价值高。如果在使用碳化硅器件时能够降低功耗和体积，电池的排列会更加灵活；同时，碳化硅在高压直流充电桩中的应用将大大缩短充电时间，带来巨...
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2022/05
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碳化硅的优点
在价格方面，目前国际上SiC的价格是相应硅基产品的5~6倍，并且以每年10%的速度下降。预计未来2-3年随着市场供应量的增加，在价格有望达到相应硅基产品的2-3倍时，系统成本降低和性能提升带来的优势将推动SiC逐步取代硅基IGBT等产品。据《华尔街日报》报道，“研究人员估计，根据电动汽车的类型，碳化硅相关技术可以帮助汽...
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2022/04
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与IGBT相比，SiC具有耐高压、低损耗、高频三大核心优势
与IGBT相比，SiC MOSFET同时具有耐高压、低损耗和高频三大优点。 1）碳化硅的击穿电场强度是硅的十倍以上，这使得碳化硅器件的耐高压性能明显高于同等硅器件。 2）碳化硅的禁带宽度是硅的三倍，这使得SiC MOSFET的漏电流比硅基IGBT大大降低，降低了导通损耗。同时，SiC MOSFET是单极器件，没有尾电流...
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2022/04
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碳化硅微密度介绍
碳化硅的核心技术参数包括直径、微管密度、面积、电阻率范围、总厚度变化、曲率、翘曲和表面粗糙度。上述技术参数的具体含义如下SiC 晶体中最重要的晶体缺陷之一是微管，这是导致产品良率低下和顺应 SiC 成本高的另一个因素。微管是延伸并贯穿整个铸锭的空心管。微管的存在对设备的应用是致命的。基板中微管的密度将直接决定外延层的结...
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2022/04