在价格方面，目前国际上SiC的价格是相应硅基产品的5~6倍，并且以每年10%的速度下降。预计未来2-3年随着市场供应量的增加，在价格有望达到相应硅基产品的2-3倍时，系统成本降低和性能提升带来的优势将推动SiC逐步取代硅基IGBT等产品。据《华尔街日报》报道，“研究人员估计，根据电动汽车的类型，碳化硅相关技术可以帮助汽车最终节省 750 美元的电池成本。”也有人估计，碳化硅的总使用会产生大约 2000 元左右的成本降低。但碳化硅材料的成本与硅基材料接近，估计还需要几年时间。
碳化硅价格高的原因很简单，因为它很难制造。为什么碳化硅那么难制造？可以说，钻石和它一样坚硬。因此，短期内碳化硅的制造成本仍然较高。
但是，碳化硅的优势非常明显。例如，减少音量就是其中之一。丰田的碳化硅组件比硅基组件小 80%。此外，根据相关分析数据，在续航方面，与采用硅基芯片的电动汽车相比，搭载SiC芯片的电动汽车的行驶距离平均延长了6%。
以国内为例，同等功率下，比亚迪汉EV的SiC模块体积比硅IGBT体积小一半以上，功率密度翻倍。而且，按照比亚迪的计划，到2023年，比亚迪旗下的所有电动汽车都将采用SiC功率半导体，完全替代IGBT，碳化硅趋势真的势不可挡。
不过，说到碳化硅的大规模应用，就从特斯拉说起。
2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次将 IGBT 模块替换为碳化硅模块。使用后，在同等功率水平下，碳化硅模块的封装尺寸明显小于硅模块，开关量损失减少 75%。此外，转换后，使用 SiC 模块可将系统效率提高 5% 左右。
由 IGBT 模块组成。
当然，就成本而言，这并不划算。由于逆变器的功率器件被碳化硅的IGBT替代，采购成本上涨了近1500元。但由于整车效率的提升，电池的装机容量有所下降，从电池端节省了成本。
从发展历史来看，全球首款碳化硅功率半导体 SiC MOSFET 于 2011 年推出。在此之前，美国公司 Cree 经过近 20 年的研发，可谓“难产”。十年后，SiC终于迎来了“爆发元年”。