碳化硅MOS等碳化硅功率器件，与Si基IGBT相比，可以有更低的导通电阻，这体现在产品上，即尺寸减小，从而减小体积，开关速度快.与传统功率器件相比，大大降低。
在电动汽车领域，电池重量重、价值高。如果在使用碳化硅器件时能够降低功耗和体积，电池的排列会更加灵活；同时，碳化硅在高压直流充电桩中的应用将大大缩短充电时间，带来巨大的社会效益。
SiC MOS 与 Si 功率器件的比较
根据Cree提供的计算：纯电动汽车BEV逆变器中的功率元件改为碳化硅后，整车功耗可降低5%-10%；这样可以提高电池寿命或降低动力电池的成本。
综上所述，碳化硅器件的各项优势将带动电动汽车续航的提升：
1）功率转换效率高：碳化硅是宽能隙材料，其击穿场强比硅基半导体材料大，更适合大功率应用场景；
2）功率利用效率高：碳化硅是宽能隙材料，其击穿场强大于硅基半导体材料，更适合大功率应用场景；
3）无效热耗低：开关频率高，速度快，降低了无效热耗，简化了电路和散热系统。
2019年，国际功率半导体巨头不断推出基于碳化硅材料的新型功率器件，推出的多款碳化硅SBD和MOSFET均符合车规级（AEC-Q101）标准。这些产品应用于新能源汽车或光伏等功率器件需求场景，将显着降低功耗，提高转换效率。