碳化硅的核心技术参数包括直径、微管密度、面积、电阻率范围、总厚度变化、曲率、翘曲和表面粗糙度。上述技术参数的具体含义如下
SiC 晶体中最重要的晶体缺陷之一是微管，这是导致产品良率低下和顺应 SiC 成本高的另一个因素。微管是延伸并贯穿整个铸锭的空心管。微管的存在对设备的应用是致命的。基板中微管的密度将直接决定外延层的结晶质量。器件区微管的存在会导致器件漏电流过大甚至器件击穿，导致器件故障。因此，降低微管密度是碳化硅工业化应用的重要技术方向。随着微管缺陷改善技术的不断进步，全球领先的碳化硅企业可以将微管密度稳定控制在1cm-2以下。这只是对其中一项指标的判断。可想而知，在上述诸多核心指标的纳米级范围内，制造高质量基板的成本是难以控制的。
综合以上信息可以看出，在碳化硅制备过程中，一次性高价耗材占比过大，制备工艺难以实现，污染治理成本高，且晶体微管的密度很高。 .由于以上几点都具有较高的技术和资金壁垒，突破需要巨额的研发投入和长期的人才培养，所以对于碳化硅的具体市场渗透，降低成本、扩大规模、提高市场渗透率还有很长的路要走去！