新闻资讯
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碳化硅器件的障碍和难点
碳化硅的大部分难点集中在碳化硅晶圆的生长和衬底的制作上，但是为了做器件也有一些难点，主要包括：1、外延工艺效率低：碳化硅的气相外延一般在1500℃以上的高温下进行。由于升华的问题，温度不能太高，一般不超过1800℃，所以生长速度低。液相外延具有较低的温度和较高的速率，但产量较低。2、欧姆接触的制作：欧姆接触是器件制造中...
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2022/05
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碳化硅产业链分类
碳化硅产业链分为三大环节：上游碳化硅晶圆和外延制造中间功率器件（包括经典IC设计制造封装三个小环节）下游工控、新能源汽车、光伏风电、等应用。目前上游晶圆基本被美国CREE、II-VI等美国厂商垄断；在国内，碳化硅晶圆制造商山东天岳和天科和大已经能够供应2英寸至6英寸的单晶基板，其收入均达到一定规模（今年将超过2亿元人民...
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2022/05
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碳化硅是第三代半导体材料，引领电源和射频领域的创新
碳化硅比硅更能满足高温、高压和高频的要求，下游应用范围广泛。碳化硅是第三代半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移率高等特点。碳化硅是第三代半导体材料的典型代表。与硅材料等前两代半导体材料相比，其禁带宽度更大，击穿电场强度、饱和电子漂移率、热导率和耐辐射性等关键参数具有显着优势。基于这些优良特...
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2022/05
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碳化硅行业深度报道
1、碳化硅碳化硅：产业化黄金时代已经到来；基板是产业链的核心1.1。 SiC特性：第三代半导体之星，在高压大功率应用场景性能优越半导体材料是用于制造半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1）第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗（Ge）；半导体最常用的材料，起源于 1950 年代，为微电子工业奠定了基础。2）...
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2022/05