目前，碳化硅的抛光方法主要有：机械抛光、磁流变抛光、化学机械抛光（CMP）、电化学抛光（ECMP）、催化剂辅助抛光或催化辅助刻蚀（CACP/CARE）、摩擦化学抛光（TCP ），也称为无磨料抛光）和等离子辅助抛光（PAP）。
化学机械抛光（CMP）技术是目前半导体加工的重要手段，也是将单晶硅表面加工到原子级光滑度的最有效的工艺方法。
CMP的加工效率主要取决于工件表面的化学反应速率。通过研究工艺参数对SiC材料抛光速率的影响，结果表明转速和抛光压力影响很大，而抛光液的温度和pH值影响不大。为了提高材料的抛光速度，应尽可能提高转速。虽然增加抛光压力也可以提高去除率，但很容易损坏抛光垫。
目前的碳化硅抛光方法存在材料去除率低、成本高的问题，而磨料研磨抛光、催化辅助加工等加工方法由于条件恶劣、设备复杂，目前仍在实验室范围内。操作实现量产的可能性不大。
1905年首次在陨石中发现碳化硅，现在主要来源于人工合成。碳化硅用途广泛，可用于单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等，太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程加工材料。