从产业链角度看，碳化硅（SiC）类器件的制造，主要包含 “衬底 - 外延 - 器件制造” 三个步骤。
而在各环节的价值量比较中，SiC 产业呈现明显 “头重脚轻” 的特征，其中衬底和外延有将近 70% 的价值量占比。与硅基器件相比，SiC 类器件的上游材料制造环节具有较高的技术壁垒，这也使得上游材料更大的影响了最终产品的成本项。由此可以看出，衬底及外延环节的降本将是 SiC 产业的主要发展方向。
1）SiC 衬底：衬底是碳化硅产业中最重要的环节，价值量占比接近 50%。没有 SiC 衬底，就造不出 SiC 器件，所以衬底是最基本的材料基础。
SiC 衬底是将原材料高纯硅粉/碳粉，通过原料合成、晶体生长、晶锭切割、晶圆切割、研磨抛光等环节进行制备。在衬底生产中，最主要的难点在于超高温环境、长晶时间久、加工工艺高。
由于衬底是 SiC 器件最大的成本项来源，衬底端价格的下降也是整个行业最主要的关注点。参考产业链信息，目前国内 SiC 衬底主流规格分别为 4 英寸和 6 英寸，衬底价格呈现每年下降 10% 左右的幅度。相对来看，4 英寸衬底的良率达到 70% 以上，而 6 英寸衬底良率还不到 50%。随着产品良率的逐年提升，SiC 衬底的价格有望进一步下探。
而对于未来 SiC 衬底价格能否下降的主要因素在于：①工艺和设备的改进，提升长晶效率；②减少损耗，提升产品良率；③从衬底到最终产品的转换率提升；④增加尺寸提升晶圆利用率。
2）SiC 外延：外延环节，在 SiC 制备过程中的价值量占比接近 1/4，是从材料到 SiC 器件制备过程中不可缺少的环节。
外延层的制备，主要是在 SiC 衬底基础上生长出一层单晶薄膜，再用以制造出所需的电力电子器件。目前外延层的制造，最主流方法是化学气相沉积法（CVD 法），利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应的途径生成固态薄膜的技术。