碳化硅衬底是新开发的宽禁带半导体的核心材料。碳化硅衬底主要应用于微波电子、电力电子等领域。 4H-SiC禁带宽度为3.2（eV），饱和电子漂移率为2.00（107 cm/s），击穿电场强度为3.5（MV/cm），热导率为4.00（W· cm-1·K-1 )，具有硅基数倍的优势。禁带是指能带结构中能态能量密度为零的能带范围，常用来表示价带和导带之间的能带范围；饱和电子漂移率是指电子漂移率达到一定范围，不再跟随电场。由于动作而继续增加的极限值；电子漂移率是指电子在电场作用下运动的平均速度；热导率是指材料热导率的量度，又称热导率；击穿电场强度是指电介质在足够强的电场作用下。它将失去其介电性能而成为导体，这称为介电击穿，相应的电场强度称为击穿电场强度。