碳化硅材料的非线性导电特性非常良好，现如今碳化硅的导电机理还没有一个统一的看法，但是可以肯定的一点是：碳化硅的伏安特性的非线性是由于颗粒之间的接触现象所引发的。其电阻会随着电场的增加而自动下降，进而实现自动调节场强的目的。因此碳化硅是一种良好的防电晕材料。
综合碳化硅非线性导电特性的意义以及碳化硅材料的特性、非线性导电特性的测试以及计算方法，下面来讨论- SiC 和β- SiC的非线性导电特性和影响因素。根据研究结果表明，对于α- SiC ，要是颗粒越粗，那么电阻率ρ会越低、非线性系数β也会越大。要是颗粒越细，那么电阻率ρ会越高、非线性系数β也会越小。因为种类不一样，所以不同工厂生产的碳化硅的电阻率ρ和非线性系数也是不一样的。α- SiC制作成防晕带后，其电阻率会上升，值降低，要是颗粒越粗，那么值下降会越大。防晕带和粉料的非线性性质有类似的规律，而-αSiC 拥有比β-SiC低很多的电阻率和比较大的非线性系数 ，而且其电阻率和非线性系数会受到粉料的粒径、合成温度以及涂层有机物含量等因素的直接影响。