碳化硅外延技术进展情况
在低、中压领域，当前外延片核心参数厚度、掺杂浓度能够做到相对比较优的水平。
但在高压领域，当前外延片要求攻克的难关还有许多，主要参数指标涵盖厚度、掺杂浓度的均匀性、三角缺陷等。
在中、低压应用领域，碳化硅外延的技术相对来说是较为成熟的。
基本上能够满足低中压的SBD、JBS、MOS等器件的要求。譬如一个1200伏器件应用的10μm的外延片，它的厚度、掺杂浓度了都做到了一个特别优的水平，并且表面缺陷也是特别好的，能够做到0.5平方以下。
在高压领域外延的技术发展相对来说是较为滞后的，例如2万伏的器件上的200μm的一个碳化硅外延材料，它的均匀性、厚度和浓度相比起低压就差许多，特别是掺杂浓度的均匀性。
并且，高压器件需要的厚膜方面，当前的缺点还是存在比较多的，特别是三角形缺陷，缺陷多主要会对大电流的器件制备有很大影响。大电流要求大的芯片面积。并且它的少子寿命当前也是比较低的。
而在高压方面的话，器件的类型朝向于使用在双极器件，对少子寿命要求较高，要想达到一个理想的正向电流它的少子寿命至少需要达到5μs以上，当前的外延片的少子寿命的参数大约是在1~2个μs，因此说对高压器件的需求当前来说还无法满足，还要做后处理技术。