硅外延片在硅单晶衬底上朝着它原来的晶向再生成一层硅单晶薄膜的半导体硅材料。严格来说就是在N型硅抛光片衬底上生成的N型外延层（N/N＋）和在P型硅抛光片衬底上生成的P型外延层（P/P＋）的同质硅外延片。产品主要是用来制作半导体器件。
硅外延已发展变作种类很多的技术，由外延层在器件制造中的作用来看，能够分做正外延和反外延。器件直接制作在外延层上的称之为正外延；器件制作在348单晶衬底上，外延层当做基底的，称之为反外延。有化学构成成分来看，能够分做是同质外延和异质外延。外延层和衬底属同一种物质，称同质外延，外延层和衬底不属同种物质，称异质外延。制备硅外延片的方法具有气相外延、液相外延、分子束外延等。其中用化学气相淀积(CVD)当做基础的气相外延是目前生产硅外延的一个主流。常用的源主要有SiCl4 、SiHCl3、SiH2Cl2和SiH44种。当前主要以SiCl4源应用最广泛。针对亚微米级外延，由低温来看，硅烷似乎比起其他源好，但硅烷在极少量空气存在下会在硅外延层中生成SiO2微粒，SiH2Cl2用在优质外延和薄层外延。