电力电子器件的发展历史大概能够分作三个大阶段：硅晶闸管（可控硅）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和刚显露头角的碳化硅（SiC）系列大功率半导体器件。碳化硅是属于第三代半导体材料，和普通的硅材料比起来，碳化硅的优势特别突出，它不但克服了普通硅材料的部分缺点，在功耗上也有特别好的表现，所以变成了电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为这样，现在已经有愈来愈多的半导体企业开始进入SiC市场。
1. 耐压高：临界击穿电场高达2MV/cm(4H-SiC)，所以具备更高的耐压能力(10倍于Si)。
2. 散热容易：因为SiC材料的热导率较高(是Si的三倍)，散热更加容易，器件能够工作在更高的环境温度下。理论上，SiC功率器件是能够在175℃结温下工作，所以散热器的体积能够明显减小。
3. 导通损耗和开关损耗低：SiC材料具备两倍于Si的电子饱和速度，这让SiC 器件具备特别低的导通电阻(1/100 于Si)，导通损耗低；SiC 材料拥有3倍于Si 的禁带宽度，泄漏电流比Si 器件降低了几个数量级，以此能够减少功率器件的功率损耗；关断过程中不会有电流拖尾现象，开关损耗低，能够在很大程度上提升实际应用的开关频率(10 倍于Si)。
能够减小功率模块的体积：因为器件电流密度高(如Infineon 产品能够达700A/cm²)，在一样功率的等级下，全SiC 功率模块(SiC MOSFETsSiC SBD)的封装尺寸很明显小于Si IGBT 功率模块。