碳化硅陶瓷材料拥有高温强度大、高温抗氧化性强、耐磨损性能好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导率大、硬度高、抗热震和耐化学腐蚀等优良特性，在汽车、机械化工、环境保护、空间技术、信息电子、能源等领域的应用变得愈来愈广泛，已经变成一种在许多工业领域性能优异的其他材料无法取代的结构陶瓷。
一、化学属性
1、抗化合性：碳化硅材料在氧气中反应到达1300℃时就会生成二氧化硅保护层，抵制碳化硅继续被化合。1900K是碳化硅在氧化剂氛围下的最高工作气温。
2、耐酸碱性：在耐酸、碱及化合物的效用方面，由于二氧化硅保护膜的效用，碳化硅的抗酸能力特别强，抗碱性稍差。
二、物理性能
1、密度：各样碳化硅晶形的颗粒密度十分相似，一般情况下，是3.20g/mm，它的碳化硅磨料的堆积密度在1.2--1.6g/mm之间，它的高低由其粒度号、粒度合成和颗粒形状的大小所决定。
2、硬度：碳化硅的硬度是：莫氏9.5级。单晶硅的硬度是：莫氏7级。多晶硅的硬度是：莫氏7级。都是硬度比较高的物料。努普硬度是2670—2815公斤/毫米，在磨料中超过刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。
3、导热率：碳化硅制品的导热率特别高，热膨胀参数小，抗热震性特别高，是优质的耐火材料。
三、电学属性
恒温下工业碳化硅是一种半导体，是属于杂质导电性。高纯度碳化硅会随着气温的升高内阻率降低，包含杂质碳化硅根据其所含杂质不一样，导电性能也不同。
四、其它属性
1、亲水性好。
2、在电性能方面，SiC具备半导体特性，少量杂质的引入会让其表现出良好的导电性。
3、优良的导热性。